-
1 Smart-Power-Bauelemente силовые полупроводниковые приборы с интеллектом
adjmicroel. Smart PowerУниверсальный русско-немецкий словарь > Smart-Power-Bauelemente силовые полупроводниковые приборы с интеллектом
-
2 силовые полупроводниковые приборы с интеллектом
adjmicroel. Smart Power, Smart-Power-BauelementeУниверсальный русско-немецкий словарь > силовые полупроводниковые приборы с интеллектом
-
3 силовые полупроводниковые приборы со встроенным микропроцессором
adjmicroel. Smart Power, Smart-Power-BauelementeУниверсальный русско-немецкий словарь > силовые полупроводниковые приборы со встроенным микропроцессором
-
4 временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
δUст
δUZ
Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
D. Zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode
E. Working voltage long-term instability
F. Instabilité à long terme de la tension de régulation
δUст
Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
-
5 время включения стабилитрона
время включения стабилитрона
tвкл
tоп
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
86. Время включения стабилитрона
D. Einschaltzeit der Z-Diode
E. Turn-on time
tвкл
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время включения стабилитрона
-
6 время выхода стабилитрона на режим
время выхода стабилитрона на режим
tвых
tT
Интервал времени от момента подачи тока стабилизации на стабилитрон до момента, начиная с которого напряжение стабилизации не выходит за пределы области, ограниченной 2δUст.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
88. Время выхода стабилитрона на режим
D. Stabilisierungszeit der Z-Diode
E. Transient time of working voltage
tвых
Интервал времени от момента подачи тока стабилизации на стабилитрон до момента, начиная с которого напряжение стабилизации не выходит за пределы области, ограниченной 281Т
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время выхода стабилитрона на режим
-
7 время обратного восстановления диода
время обратного восстановления диода
Ндп. время восстановления обратного сопротивления
tвос, обр, trr
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
33. Время обратного восстановления диода
Ндп. Время восстановления обратного сопротивления
D. Sperrerholungszeit der Diode
E. Reverse recovery time
F. Temps de recouvrement inverse
tвос,обр
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое, значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время обратного восстановления диода
-
8 время прямого восстановления диода
время прямого восстановления диода
Ндп. время восстановления прямого сопротивления
tвос.пр, tfr
Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
34. Время прямого восстановления диода
Ндп. Время восстановления прямого сопротивления
D. Durchlasserholungszeit der Diode
E. Forward recovery time
F. Temps de recouvrement direct
tвос.пр
Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время прямого восстановления диода
-
9 динамическое сопротивление выпрямительного диода
динамическое сопротивление выпрямительного диода
rдин
rT
Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
61. Динамическое сопротивление выпрямительного диода
D. Dynamischer Widerstand der Diode
E. Slope resistance
F. Résistance apparente directe
rдин
Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > динамическое сопротивление выпрямительного диода
-
10 дифференциальное сопротивление диода
дифференциальное сопротивление диода
rдиф, r
Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
19. Дифференциальное сопротивление диода
D. Differentieller Widerstand der Diode
E. Differential resistance
F. Résistance différentielle
rдиф
Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > дифференциальное сопротивление диода
-
11 дифференциальное сопротивление стабилитрона
дифференциальное сопротивление стабилитрона
rст
rz
Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
84. Дифференциальное сопротивление стабилитрона
D. Z-Widerstand der Z-Diode
E. Differential resistance within the working voltage range
F. Résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation
rст
Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > дифференциальное сопротивление стабилитрона
-
12 емкость корпуса диода
емкость корпуса диода
Скор, Сcase
Значение емкости между выводами корпуса диода при отсутствии кристалла.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
D. Gehäusekapazität der Diode
E. Case capacitance
Cкор
Значение емкости между выводами корпуса диода при отсутствии кристалла
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость корпуса диода
-
13 емкость перехода диода
емкость перехода диода
Спер, Сj
Общая емкость диода без емкости корпуса.
Примечание
В случае, когда диод имеет p-j-n структуру, допускается использовать термин "емкость структуры" и буквенное обозначение "Сстр ".
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Sperrschichtkapazität der Diode
E. Junction capacitance
F. Capacité de jonction
Cпер
Общая емкость диода без емкости корпуса.
Примечание. В случае, когда диод имеет p-i-n структуру, допускается использовать термин «емкость структуры» и буквенное обозначение «Cстр»
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость перехода диода
-
14 заряд восстановления диода
заряд восстановления диода
Ндп. заряд переключения
Qвос, Qr
Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.
Примечания
1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.
2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
32. Заряд восстановления диода
Ндп. Заряд переключения
D. Sperrerholladung der Diode
E. Recovered charge
F. Charge recouvrée
Qвос
Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.
Примечания:
1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.
2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > заряд восстановления диода
-
15 импульсная рассеиваемая мощность диода
импульсная рассеиваемая мощность диода
Pи, РМ
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
15. Импульсная рассеиваемая мощность диода
D. Spitzenverlustleistung der Diode
E. Peak power dissipation
Pи
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > импульсная рассеиваемая мощность диода
-
16 импульсное обратное напряжение диода
импульсное обратное напряжение диода
Uобр.и, URM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
4. Импульсное обратное напряжение диода
D. Spitzensperrspannung der Diode
E. Peak reverse voltage
F. Tension inverse de crête
Uобр.и
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > импульсное обратное напряжение диода
-
17 импульсное прямое напряжение диода
импульсное прямое напряжение диода
Uпр.и, UFM
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
2. Импульсное прямое напряжение диода
D. Spitzendurchlassspannung der Diode
E. Peak forward voltage
F. Tension directe de crête
Uпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > импульсное прямое напряжение диода
-
18 импульсный обратный ток диода
импульсный обратный ток диода
Iобр.и, IRM
Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
11. Импульсный обратный ток диода
D. Spitzensperrstrom der Diode
E. Peak reverse current
F. Courant inverse de crête
Iобр.и
Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > импульсный обратный ток диода
-
19 импульсный прямой ток диода
импульсный прямой ток диода
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
8. Импульсный прямой ток диода
D. Spitzendurchlassstrom der Diode
E. Peak forward current
F. Courant direct de crête
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > импульсный прямой ток диода
-
20 индуктивность диода
индуктивность диода
Lп, Ls
Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Induktvität der Diode
E. Total series equivalent inductance
F. Inductance série totale équivalente
Lп
Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > индуктивность диода
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия